Техническият термин "мемристор" се състои от две английски думи: първата е "памет" или памет, а втората е резистор (т.е. съпротивление). Същността на клетката е, че нейната проводимост варира в зависимост от заряда, преминал през нея (т.е. зависи от историята на процесите). Освен това тази зависимост е право пропорционална на стойността на преминалия ток, интегриран във времето.
Според класификацията на устройства с вградена памет, мемристорът може да бъде класифициран като нелинейно електронно устройство с хистерезисни свойства. Тоест, по отношение на функционалното си предназначение, този елемент принадлежи към категорията на микроелектронните компоненти, които имат способността да запомнят предишни състояния (снимка по-долу).
Нова ера на компютрите
Още през 70-те години на миналия век учените разработиха теоретичен модел, описващ връзката между напрежението, приложено към обекта, и времевия интеграл на текущия компонент. И само до 2008 г. е създадена първата проба от резисторен елемент, частично съответстваща на декларираните свойства.
Неговата реакция на текущите влияния не е подобна на поведението на индуктивност с нейния магнитен поток, нито на кондензатор, който натрупва заряд. И в същото време реагира на движението на заряди не като обикновен резистор. Оказа се, че учените са успели да получат четвърти електрически елемент, различен от първите три!
Проводимите свойства на новия компонент се променят поради химични реакции, протичащи в двуслоен филм с дебелина само 5 nm. Първият от тези слоеве беше специално изчерпан поради изтичането на молекули кислород от него. Когато се подаде напрежение, освободените кислородни клетки със заряд започват да се „разхождат“ между слоевете, което води до промяна в съпротивлението на елемента.
Вече не можеше да се върне към предишната стойност на проводимостта, което означаваше мигновен условен преход на елемент от „нула“ в „единица“. Феноменът на хистерезис в мемристора позволи на ранен етап от изследването да се види в него клетка с памет, способна успешно да замести полупроводникови елементи.
Перспективи за кандидатстване
Разгледаните характеристики на мемристорите теоретично разкриват следните възможности:
- Производство на елементи с памет с по-добри характеристики от съвременните флашки.
- Пълна актуализация на електронната база данни на устройства, където се използват клетките на паметта.
- Значително увеличаване на тяхната функционалност.
Важно!Тъй като мемристорът всъщност фиксира заряда, преминал през него - например когато използвате такива клетки в компютър, можете изобщо да не зареждате системата.
Когато включите компютъра, той ще започне да работи от състоянието, в което е бил изключен предния ден. Разбира се, всичко това са само теоретични предположения, които изискват практическо потвърждение в близко бъдеще.